3D晶体管之父胡正明获IEEE最高荣誉，他是台积电前CTO，为摩尔定律续命十几年
他还是中科院外籍院士，清华大学荣誉教授。
晓查 发自 凹非寺
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IEEE最高荣誉揭晓，华人科学家斩获年度殊荣。
近日，国际电子电气工程学会(IEEE)公布了2020年IEEE荣誉奖章获得者，华人学者胡正明获奖，他是历史上第三位获得该奖项的华人学者。
△ 胡正明（图片来自IEEE）
胡正明获奖原因是他“开发半导体模型并将其投入生产实践，尤其是3D器件结构，使摩尔定律又持续了数十年”。摩尔也曾在2008年获得过IEEE荣誉奖章。
胡正明于1999年开发出了FinFET，因此被称为3D晶体管之父。这项发明被看做是50多年来半导体技术的重大转变。
当晶体管的尺寸小于25纳米时，传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。FinFET的出现将场效应管立体化，晶体管密度才能进一步加大，让摩尔定律得以维持下去。
FinFET是现代纳米电子半导体器件制造的基础，现在7nm芯片使用的就是FinFET设计。
关于IEEE荣誉奖章
IEEE荣誉奖章（IEEE Medal of Honor），创立于1917年，每年仅授予一人，是国际电子电气工程学会的最高荣誉，也是世界电气电子工程学界的最高奖励。
历史获得该奖章的知名人士还有晶体管发明者巴丁和信息论创始人香农。
此前仅有两位华人获得过该奖章，分别是贝尔实验室研发部前主任卓以和（1994年）、台积电前董事长张忠谋（2011年）。
今年的奖项计划在5月15日在温哥华举办“的IEEE愿景、创新和挑战峰会”上的年度IEEE荣誉典礼上颁发。
胡正明简介
胡正明1947年出生于北京，后移居台湾，1968年毕业于台湾大学电机工程系。此后赴美国留学，1973年获加州大学伯克利分校博士学位。
自1976年以来，他一直是加州大学伯克利分校电气工程和计算机系的教授。他还投身产业界，曾担任半导体制造商安霸的董事会成员，后来于2001~2004年又担任台积电CTO。
在学术方面，胡正明总共撰写了五本书，发表了900篇研究论文，并拥有100多项美国专利。
胡正明还是IEEE Fellow、美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士，并且还是中国科学院微电子所、清华大学等院校的荣誉教授。
胡正明多次获得过IEEE授予的荣誉奖项，2016年入选硅谷工程师名人堂，并在当年由美国总统奥巴马授予白宫国家技术创新奖。
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